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北京创宇星通科技有限公司 
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| Microchip（原Microsemi）1000C超高性能晶体振荡器 |
美高森美Microsemi（原Symmetricom）1000C超高性能晶体振荡器/超高稳BVA晶振
1000C是美国Microsemi（原Symmetricom公司）生产的一款超高性能晶体振荡器，通过采用业界zui为xian jin的SC切割BVA晶体技术，实现了超低的相位噪声、优异的短期稳定性和低老化率等特性。规格上所列的老化率指标在器件连续工作30天内即可达到，更长时间的加电操作，该指标会得到提升。多个使用该振荡器系列产品的用户反馈，在连续加电操作数年之后，日老化率指标甚至低至1E-12。
通过采用杜瓦隔热技术的恒温槽，1000C在整个工作温度范围内均具有优异的温度稳定性。在1000C的工作温度范围内，其受到温度变化影响所产生的zui大频率改变<5.0E-9。此外，在1000C的电源连接器处还具有一个监测恒温槽温度变化的传感器（监测灵敏度：10mV/℃）。1000C具有高性能和超高性能两个版本。超高性能版本提供具有超低相位噪声输出的信号：-130dBc@1Hz、-160dBc@100KHz，稳定后短稳可以达到：2E-13（0.1s ~ 100s）。而高性能版本则提供低相噪的信号输出：-120 dBc@1Hz、-160dBc@100KHz，稳定后短稳可以达到3E-13(0.1s ~ 100S)。
低噪声、高隔离度的缓冲放大器提供4路独立的5MHz输出。缓冲放大器隔离信号输出尽可能不受负载变化的影响。而内部的电压调节器则使得电源纹波所引起的影响降至zui低。
线性的电子频率控制允许采用伺服循环技术来进行良好的频率调整。在1000C的压控调整范围内，其调整线性优于5%。1000C超高性能晶体振荡器能够满足军事和工业环境广泛的应用需求。其可以被应用在高精度的频率计数器和综合器、GPS接收机、微波倍频器、相位噪声校准测试设备、2级通信应用、雷达和战术通信系统、安全通信系统、卫星地面终端以及航天飞行系统等。
主要特性：
低老化率：5E-11/天 （典型值）
低相噪：-130dBc@1Hz、-160 dBc@100Hz（超高性能版本）
4路5MHz输出（独立的缓冲门设计，隔离信号输出）
短期稳定性：<2.0E-13（0.1s~100s，超高性能版本）
线性电子频率控制
快速预热：<2.0E-8(15分钟内)
工作温度范围：0°C ~ 55°C
压控输入范围：0V ~ 10V
压控调整范围：6.0E-7（典型值）
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